武汉华灿光电有限公司-产品展示

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　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　12mil NI/Au(B)蓝光LED芯片　　　　　

产品图片

产品名称:	12mil NI/Au(B)蓝光LED芯片
产品产地:	湖北省武汉市
产品价格:
产品数量:

武汉华灿光电有限公司
联系人：	刘先生添加为商业伙伴

　产品信息

产品型号：

HC-B1212TA

原产地：

湖北省武汉市

产品详细介绍:

产品特点

高亮度，高可靠性
100%测试分选，保障良好的均匀性
ESD100%全测，保证良好的抗静电能力
TCL透明电极制程

芯片结构

项目		规格
外延结构	衬底材料	蓝宝石（sapphire）
外延结构	外延结构	InGaN/GaN MQW
电极材料	P电极	铝电极（Al pad）
电极材料	N电极	铝电极（Al pad）
芯片尺寸	芯片大小	300μm×300μm
芯片尺寸	芯片厚度	85±5μm

光电特性参数（室温）

光电参数	符号	测试条件	数值		单位
光电参数	符号	测试条件	Min.	Max.	单位
正向电压	Vf	@20mA	3.0	3.4	V
主波长	Wd	@20mA	465.0	467.5	nm
			467.5	470.0
			470.0	472.5
			472.5	475.0
漏电流	Ir	@-10V	-	0.5	mA
亮度	Iv	@20mA	80	90	mcd
			90	100
			100	110
			110	120
			120	130
			130	140
			140	150

其他说明

光电参数均系武汉华灿光电有限公司测试仪器在室温条件下测试所得。
库存时间和环境温湿度均会影响芯片的质量，封装温度不能超过280℃。
GaN LED芯片静电等级为Ⅰ，使用与运输时候须注意静电防护。
可根据客户的要求订做特殊规格的芯片。

　公司相关信息

企业类型：	中外合资经营
经营模式：	生产型
员工人数：	5 人以下
注册资金：	不详

　联系方式

联系人:	刘先生(主管) 添加为商业伙伴
电　　话：	86 027 8266886
传　　真：	86 027 81929090
移动电话：
办公地址：	中国武汉中国光谷滨湖路8号
邮　　编：
公司主页：

　　其它信息

该公司暂无其他供应信息

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