芯片结构
项目
规格
外延
结构
衬底材料
蓝宝石(sapphire)
外延结构
InGaN/GaN MQW
电极
材料
P电极
铝电极(Al pad)
N电极
芯片
尺寸
芯片大小
350μm350μm
芯片厚度
85±5μm
光电特性参数(室温)
光电参数
符号
测试条件
数值
单位
Min.
Max.
正向电压
Vf
@20mA
3.0
3.4
V
主波长
Wd
465.0
467.5
nm
470.0
472.5
475.0
漏电流
Ir
@-10V
-
0.5
mA
亮度
Iv
80
90
mcd
100
110
120
130
140
150
其他说明