芯片结构
项目
规格
外延
结构
衬底材料
蓝宝石(sapphire)
外延结构
InGaN/GaN MQW
电极
材料
P电极
铝电极(Al pad)
N电极
芯片
尺寸
芯片大小
300μm×300μm
芯片厚度
85±5μm
光电特性参数(室温)
光电参数
符号
测试条件
数值
单位
Min.
Max.
正向电压
Vf
@20mA
2.9
3.1
V
3.3
3.5
主波长
Wd
455.0
457.5
nm
460.0
462.5
465.0
漏电流
Ir
@-10V
-
0.5
mA
亮度
Iv
80
100
mcd
120
140
170
200
—
其他说明